先進パワー半導体分科会

第4回講演会 プログラム

受付開始は初日は8:30から2日目は8:15からになります。
総合受付
場所:B1Fエントランスホール
時間:2019年12月3日(火) 8:30-17:40、12月4日(水) 8:15-16:00

12月3日(火)

時間 第一会場
(フェニックスホール)
第2会場
(ヒマワリ)
ポスター会場
(ダリア)
企業展示
(ダリア及びB2Fロビー)
9:55-10:00 開会挨拶 企業展示
10:00-11:30 セッションⅠ
(基調講演)
11:30-12:40 昼食休憩
12:40-13:40 セッションⅡ
(招待講演)
セッションⅢ
(招待講演)
13:40-15:00 インダストリアル
セッション
15:00-15:10 休憩
15:10-16:25 ポスターセッションIA
16:25-17:40 ポスターセッションIB
18:00-20:00 懇親会

12月4日(水)

時間 第一会場
(フェニックスホール)
第2会場
(ヒマワリ)
ポスター会場
(ダリア)
企業展示
(ダリア及びB2Fロビー)
9:00-10:00 セッションⅣ
(特別講演)
企業展示
10:00-10:15 休憩
10:15-12:15 セッションⅤ
(招待講演)
セッションⅥ
(招待講演)
12:15-13:30 昼食休憩
13:30-14:45 ポスターセッションIIA
14:45-16:00 ポスターセッションIIB
16:00-16:10 休憩
16:10-16:50 セッションVII
(昨年度奨励賞
 受賞記念講演)
16:50-17:10 奨励賞授賞式
クロージング

詳細プログラム

 12月3日(火)(Tuesday 3 December)

 9:55~10:00 開会挨拶(フェニックスホール)
 10:00~11:30 セッションI:基調講演(フェニックスホール)

   10:00~10:45
   ワイドギャップ半導体パワーデバイスの発展と展望
   Progress and Future Prospects of Wide Bandgap Semiconductor Power Devices
   木本 恒暢(京都大学)

   10:45~11:30
   Si IPMの開発経緯とパワーデバイスの今後の動向
   Development history of Si IPM and future trends of power devices
   マジュムダール ゴーラブ(三菱電機株式会社)

 11:30~12:40 昼食休憩
 12:40~13:40 セッションII:招待講演(フェニックスホール)

   12:40~13:10
   SiC-MOSFETの負荷短絡耐量特性の解析
   Investigation of short-circuit capability for SiC-MOSFETs
   岩室 憲幸(筑波大学)

   13:10~13:40
   パワーデバイス性能向上に伴う自己発熱の影響とその対策
   Influence of the self-heating with the power device improvement and its measures
   寺島 知秀(三菱電機株式会社)

 12:40~13:40 セッションIII:招待講演(ヒマワリ)

   12:40~13:10
   高電圧パワーデバイスに向けた4H-SiC CVD成長技術の進展
   Influence of the self-heating with the power device improvement and its Recent progress in 4H-SiC CVD
   growth for high-voltage power devicesmeasures
   土田 秀一(電力中央研究所)

   13:10~13:40
   ダイヤモンド単結晶基板の作製技術開発の現状
   Current status of research and development to fabricate single crystalline diamond wafers
   山田 英明(産業技術総合研究所)

 13:40~15:00 インダストリアルセッション(フェニックスホール)
 15:00~15:10 休憩
 15:10~17:40 ポスターセッションⅠⅠAⅠBポスター会場(ダリア)
 18:00~20:00 懇親会(ヒマワリ)

 12月4日(水)(Wednesday 4 December)

 9:00~10:00 セッションⅣ:特別講演(フェニックスホール)

   9:00~9:30
   車載用パワーデバイス/パワーエレクトロニクスの進展
   Evolution of Power Semiconductors and Power Electronics for Electrified Vehicles
   伊藤 孝浩(トヨタ自動車株式会社)

   9:30~10:00
   福島第一原子力発電所廃炉を支える基礎基盤研究開発
   Basic R&D supporting Fukushima Dai-ichi NPS decommissioning
   小川 徹(JAEA廃炉国際共同研究センター)

 10:00~10:15 休憩
 10:15~12:15 セッションⅤ:招待講演(フェニックスホール)

   10:15~10:45
   SiCを用いた超高電圧機器開発と医療分野への応用
   Development of ultra-high voltage equipment using SiC and its application to the medical field
   中村 孝(大阪大学/福島SiC応用技研)

   10:45~11:15
   SiCによる耐放射線エレクトロニクス技術開発
   Radiation Hardened Electronics Technology by SiC semiconductor
   田中 保宣(産業技術総合研究所)

   11:15~11:45
   ダイヤモンド放射線検出器とダイヤモンドFETを用いた前置増幅器の開発
   Development of diamond radiation detector and charge sensitive preamplifier based on diamond FET
   金子 純一(北海道大学)

   11:45~12:15
   極限環境IoTに向けたSiC集積回路の研究
   Research of SiC integrated circuit for IoT in severe environment
   島 明生(株式会社日立製作所)

 10:15~12:15 セッションⅥ:招待講演(ヒマワリ)

   10:15~10:45
   GaNパワーデバイスの技術開発・市場動向
   Discussion on technology and market trends for Power GaN Devices.
   吉持賢一(ローム株式会社)

   10:45~11:15
   β型Ga2O3のエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
   Epitaxial growth of β-Ga2O3 and its power device application
   佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー/タムラ製作所)

   11:15~11:45
   WBGパワーデバイスのための耐熱実装技術
   Heat-resistant packaging technology for WBG power devices
   菅沼 克昭(大阪大学)

   11:45~12:15
   4H-SiCの水蒸気酸化反応の特徴とそのMOS界面特性に与える効果の理解
   Consideration on H2O-Oxidation Reactions of 4H-SiC and Impacts on Its MOS Interface Characteristics
   喜多 浩之(東京大学)

 12:15~13:30 昼食休憩
 13:30~16:00 ポスターセッションⅡⅡAⅡBポスター会場(ダリア)
 16:00~16:10 休憩
 16:10~16:50 セッションⅦ:昨年度奨励賞受賞記念講演(フェニックスホール)

   16:10~16:30
   光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法
   Quick and accurate measurement methods of hole trap density in n-type
   GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy
   鐘ヶ江 一孝(京都大学)

   16:30~16:50
   高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製
   Fabrication of normally-off p- and n-JFETs on a SiC common substrate for high-temperature IC operation
   中島 誠志(京都大学)

 16:50~17:10 授賞式・クロージング(フェニックスホール)