受付開始は初日は8:30から2日目は8:15からになります。
総合受付
場所：B1Fエントランスホール
時間：2019年12月3日(火) 8:30-17:40、12月4日(水) 8:15-16:00
12月3日(火)
| 時間 | 第一会場 (フェニックスホール) |
第2会場 (ヒマワリ) |
ポスター会場 (ダリア) |
企業展示 (ダリア及びB2Fロビー) |
|---|---|---|---|---|
| 9:55-10:00 | 開会挨拶 | 企業展示 | ||
| 10:00-11:30 | セッションⅠ (基調講演) |
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| 11:30-12:40 | 昼食休憩 | |||
| 12:40-13:40 | セッションⅡ (招待講演) |
セッションⅢ (招待講演) |
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| 13:40-15:00 | インダストリアル セッション |
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| 15:00-15:10 | 休憩 | |||
| 15:10-16:25 | ポスターセッションIA | |||
| 16:25-17:40 | ポスターセッションIB | |||
| 18:00-20:00 | 懇親会 | |||
12月4日(水)
| 時間 | 第一会場 (フェニックスホール) |
第2会場 (ヒマワリ) |
ポスター会場 (ダリア) |
企業展示 (ダリア及びB2Fロビー) |
|---|---|---|---|---|
| 9:00-10:00 | セッションⅣ (特別講演) |
企業展示 | ||
| 10:00-10:15 | 休憩 | |||
| 10:15-12:15 | セッションⅤ (招待講演) |
セッションⅥ (招待講演) |
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| 12:15-13:30 | 昼食休憩 | |||
| 13:30-14:45 | ポスターセッションIIA | |||
| 14:45-16:00 | ポスターセッションIIB | |||
| 16:00-16:10 | 休憩 | |||
| 16:10-16:50 | セッションVII (昨年度奨励賞 受賞記念講演) |
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| 16:50-17:10 | 奨励賞授賞式 クロージング |
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詳細プログラム
12月3日（火）(Tuesday 3 December)
9:55~10:00 開会挨拶（フェニックスホール）
10:00~11:30 セッションI：基調講演（フェニックスホール）
10:00~10:45
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの発展と展望
Progress and Future Prospects of Wide Bandgap Semiconductor Power Devices
木本 恒暢（京都大学）
10:45~11:30
Si IPMの開発経緯とパワーデバイスの今後の動向
Development history of Si IPM and future trends of power devices
マジュムダール ゴーラブ（三菱電機株式会社）
11:30~12:40 昼食休憩
12:40~13:40 セッションII：招待講演（フェニックスホール）
12:40~13:10
SiC-MOSFETの負荷短絡耐量特性の解析
Investigation of short-circuit capability for SiC-MOSFETs
岩室 憲幸（筑波大学）
13:10~13:40
パワーデバイス性能向上に伴う自己発熱の影響とその対策
Influence of the self-heating with the power device improvement and its measures
寺島 知秀（三菱電機株式会社）
12:40~13:40 セッションIII：招待講演（ヒマワリ）
12:40~13:10
高電圧パワーデバイスに向けた4H-SiC CVD成長技術の進展
Influence of the self-heating with the power device improvement and its Recent progress in 4H-SiC CVD
growth for high-voltage power devicesmeasures
土田 秀一（電力中央研究所）
13:10~13:40
ダイヤモンド単結晶基板の作製技術開発の現状
Current status of research and development to fabricate single crystalline diamond wafers
山田 英明（産業技術総合研究所）
13:40~15:00 インダストリアルセッション（フェニックスホール）
15:00~15:10 休憩
15:10~17:40 ポスターセッションⅠⅠA・ⅠBポスター会場（ダリア）
18:00~20:00 懇親会（ヒマワリ）
12月4日（水）(Wednesday 4 December)
9:00~10:00 セッションⅣ：特別講演（フェニックスホール）
9:00~9:30
車載用パワーデバイス/パワーエレクトロニクスの進展
Evolution of Power Semiconductors and Power Electronics for Electrified Vehicles
伊藤 孝浩（トヨタ自動車株式会社）
9:30~10:00
福島第一原子力発電所廃炉を支える基礎基盤研究開発
Basic R&D supporting Fukushima Dai-ichi NPS decommissioning
小川 徹（JAEA廃炉国際共同研究センター）
10:00~10:15 休憩
10:15~12:15 セッションⅤ：招待講演（フェニックスホール）
10:15~10:45
SiCを用いた超高電圧機器開発と医療分野への応用
Development of ultra-high voltage equipment using SiC and its application to the medical field
中村 孝（大阪大学/福島SiC応用技研）
10:45~11:15
SiCによる耐放射線エレクトロニクス技術開発
Radiation Hardened Electronics Technology by SiC semiconductor
田中 保宣（産業技術総合研究所）
11:15~11:45
ダイヤモンド放射線検出器とダイヤモンドFETを用いた前置増幅器の開発
Development of diamond radiation detector and charge sensitive preamplifier based on diamond FET
金子 純一（北海道大学）
11:45~12:15
極限環境IoTに向けたSiC集積回路の研究
Research of SiC integrated circuit for IoT in severe environment
島 明生（株式会社日立製作所）
10:15~12:15 セッションⅥ：招待講演（ヒマワリ）
10:15~10:45
GaNパワーデバイスの技術開発・市場動向
Discussion on technology and market trends for Power GaN Devices.
吉持賢一（ローム株式会社）
10:45~11:15
β型Ga2O3のエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
Epitaxial growth of β-Ga2O3 and its power device application
佐々木 公平（ノベルクリスタルテクノロジー/タムラ製作所）
11:15~11:45
WBGパワーデバイスのための耐熱実装技術
Heat-resistant packaging technology for WBG power devices
菅沼 克昭（大阪大学）
11:45~12:15
4H-SiCの水蒸気酸化反応の特徴とそのMOS界面特性に与える効果の理解
Consideration on H2O-Oxidation Reactions of 4H-SiC and Impacts on Its MOS Interface Characteristics
喜多 浩之（東京大学）
12:15~13:30 昼食休憩
13:30~16:00 ポスターセッションⅡⅡA・ⅡBポスター会場（ダリア）
16:00~16:10 休憩
16:10~16:50 セッションⅦ：昨年度奨励賞受賞記念講演（フェニックスホール）
16:10~16:30
光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法
Quick and accurate measurement methods of hole trap density in n-type
GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy
鐘ヶ江 一孝（京都大学）
16:30~16:50
高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製
Fabrication of normally-off p- and n-JFETs on a SiC common substrate for high-temperature IC operation
中島 誠志（京都大学）