9:55~10:00
• １．開会の挨拶
  　須田　淳　分科会幹事長
10:00~10:55
• ２．半導体の絶縁破壊現象の基礎
  　Fundamentals of Breakdown Phenomena in Semiconductors
  　須田　淳　名古屋大学
11:00~11:55
• ３．信頼度解析の基礎
  　Basics of Reliability Theory
  　大村　一郎　九州工業大学
11:55~13:00
• 昼休み
13:00~13:55
• ４．Si-IGBTならびにSiC-MOSFET負荷短絡時の破壊メカニズム
  　Investigation of Short-circuit Failure Mechanisms of
  　 Si IGBTs and SiC MOSFETs
  　岩室　憲幸　筑波大学
14:00~14:55
• ５．ワイドバンドギャップ半導体MOSデバイスにおけるゲート酸化膜破壊
  　Gate oxide breakdown in wide bandgap semiconductor MOS devices
  　細井　卓治　大阪大学
15:00~15:55
• ６．高信頼高密度ハーフブリッジSiCパワーモジュール
  　Highly reliable and dense half-bridge SiC power module
  　谷本　智　大阪大学・"福島SiC応用技研株式会社（FSiC）
16:00~16:55
• ７．半導体デバイスの放射線劣化・破壊－地上から宇宙まで－
  　Radiation degradation & destruction of semiconductor devices
  　- From terrestrial to space applications -
  　大島　武　量子科学技術研究開発機構
16:55~17:00
• ８．閉会の辞
  　鎌田　功穂　電力中央研究所

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