講演会プログラム

11月30日（木）

時間	A会場	B会場	ポスター会場
09:55 10:00	開会挨拶
10:00 10:45	基調講演Ⅰ 福島正人（(株)レゾナック・ホールディングス）「レゾナックにおけるカーボンニュートラルへの取組みと実例紹介」
10:45 11:30	基調講演Ⅱ 橋詰保 (名古屋大学・北海道大学）「GaNパワートランジスタにおける表面・界面制御」
11:30 13:00	昼食休憩
13:00 13:30	堂島大地（関西学院大学）「大口径4H-SiC(0001)ウエハの欠陥の評価およびその可視化手法」	藤岡洋（東京大学）「パルススパッタリングによるGaNおよびAlGaN電子素子の作製」
13:30 14:00	平井悠久（産業技術総合研究所）「SiCトレンチMOSチャネルの直接評価術ーー3D-VDP素子」	田中敦之（名古屋大学）「GaN基板・デバイスのレーザスライス」
14:00 14:15	休憩
14:15 15:15	インダストリアルセッションⅠ	インダストリアルセッションⅡ
15:15 16:30			ポスターセッションⅠ A
16:30 17:45			ポスターセッションⅠ B
18:00 20:00	懇親会（ANAクラウンプラザホテル「鳳」）

12月1日（金）

時間	A会場	B会場	ポスター会場
09:30 10:00	山本真義（名古屋大学）「次世代EVに求められる低損失SiCパワー半導体設計指針とその実装技術」	金聖祐（Orbray(株)）「大口径ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板作製と応用」
10:00 10:30	伊東淳一（長岡技術科学大学）「電力変換器の将来：USPMによるパワエレのIC化」	金村高司（(株)ミライズテクノロジーズ）「車載適用を見据えた高温ガス成長法によるSiC結晶成長とカーボンニュートラル」
10:30 11:00	日野史郎（三菱電機(株)）「SBD内蔵SiC-MOSFETの開発」	小林元樹（(株)サイコックス）「貼り合わせ基板SiCkrestの開発」
11:00 11:30	増永昌弘，桑名諒，野本真司，篠田博史（(株)日立製作所）「過酷環境向けSiC-CMOS技術の信頼性とその応用」	紀世陽（産業技術総合研究所）「SiC SJデバイス実現に向けたCVD法による4H-SiC埋戻し成長技術の開発と進展」
11:30 13:00	昼食休憩
13:00 14:15			ポスターセッションⅡ A
14:15 15:30			ポスターセッションⅡ B
15:30 15:45	休憩
15:45 16:30	基調講演 Ⅲ 清水英路（経済産業省商務情報政策局情報産業課デバイス・半導体戦略室室長）「半導体・デジタル産業戦略」
16:30 16:50	昨年度奨励賞受賞記念講演 ① 柴田峻弥（京都大学）「高温動作集積回路を目指したSiC基板へのイオン注入によるボトムゲートJFETの作製」
16:50 17:10	昨年度奨励賞受賞記念講演 ② 中沼貴澄（大阪大学）「量子技術応用に向けたSiC MOS界面単一光子源の制御」
17:10 17:30	奨励賞授賞式クロージング

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会場案内図

エレベーター
エスカレーター
女性用トイレ
男性用トイレ

講演者へのご案内

・基調講演、招待講演、依頼講演、インダストリアル講演、チュートリアルは口頭講演です。
  ノートPCをご持参いただくか、会場のPCをご利用ください。
  液晶プロジェクター（HDMI接続）は16:9ワイド画面に対応しています。
  講演時間はプログラムでご確認ください。

・一般講演はポスター講演になります。掲示スペースはA0サイズ（横84.1cm x 縦118.4cm）１枚です。
  講演当日は来場次第、講演番号で指定された場所に掲示をお願いします。
  講演時間、講演番号はプログラムでご確認ください。
  ポスターセッション終了後は直ちにポスターの撤収をお願いいたします。
    ※現地でのポスター印刷は承っておりません。各自でご準備をお願いいたします。