基調講演

・齋藤 渉（九州大学）
「パワーデバイスに対する要求の変遷と技術展開」

・田中 保宣（産業技術総合研究所）
「次世代パワーエレクトロニクス技術の進展」

・Mario Saggio（ST microelectronics）
「SiC 200mmウェハ製造に向けたインダストリアル・エコ・システム」

招待講演

・金澤 博（株式会社レゾナック）
「レゾナックにおけるパワー半導体向け高品質SiCエピウェハーの開発」

・鐘ヶ江 一孝（京都工芸繊維大学）
「n型ルチル構造酸化ゲルマニウムを用いた縦型Schottky障壁ダイオードの作製」

・金子 光顕（京都大学）
「厳環境で動作可能なSiC相補型JFET集積回路の性能向上に向けた基礎研究」

・木本 真一（産業技術総合研究所）
「トレンチ型SiC-MOSFETの特性向上に向けた構造の微細化とプロセスの開発」

・佐々木 公平（株式会社ノベルクリスタルテクノロジー）
「高耐圧酸化ガリウムパワーデバイス開発の進展」

・杉山 聖（旭化成株式会社）
「高品質単結晶AlN基板を活用した新たなAlN系電子デバイスについて」

・長澤 弘幸（株式会社CUSIC）
「多枚数近接昇華（MCSS）法による大口径SiCウエハの低コスト製造技術」

・西谷 智博（株式会社フォトエレクトロンソウル）
「GaN型半導体からの光電子ビームがもたらす半導体の検査と計測の技術革新」

・東 雄大（産業技術総合研究所）
「貼り合わせSiC基板を使ったパワーデバイス開発」

・樋口 泰生（ローム株式会社）
「次世代WBGデバイスGaNの性能とAI-Serverへの応用例」

・前田 拓也（東京大学）
「窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの研究進展」

・Can Zhu（SICC CO., LTD.）
「200mm SiC基板の開発と300mm SiCの機会および課題」

依頼講演

・伊東 遼馬（京都大学）
「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」

・佐野 雅季（元名古屋大学）
「第一原理計算を用いた4H-SiCに発生する基底面転位の拡張機構解明」

・八軒 慶慈（大阪大学）
「SiC MOSデバイスにおける移動度支配要因の理解」