応用物理学会励起ナノプロセス」研究会 「励起ナノプロセス」研究会


 第6回研究会

    第6回研究会を開催しました

    会合名:第6回励起ナノプロセス研究会
    主催:応用物理理学会励起ナノプロセス研究会
    共催:日本物理学会大阪支部
    後援:公益財団法人関西エネルギー・リサイクル科学研究振興財団
    日時:2010年 11月2日(火)13:30 〜 3日(水)17:00
    場所:ビッグ・アイ 国際障害者交流センター 大研修室(大阪府堺市茶山台1-8-1)
    電話:072-290-0900 
    交通:ビッグ・アイまでの交通案内図
       関西空港からは直通リムジンバスが便利です。
    詳しい交通案内はこちら

    案内:第6回励起ナノプロセス研究会の概要(PDF)

    内容:「光電子材料に関連する励起ナノプロセス」をテーマに3つのセッション
       A【固体内励起エネルギー移動 −希土類発光を中心に−】
       B【電子励起がもたらす固体内原子移動】
       C【電子励起がからむ酸化物の状態制御と光電気物性】
    を設け、当該研究の第一人者に講演していただき、研究最前線の情報紹介と交流を図りました。またポスターセッションも設けました。

    ********  プログラム  ********
    講演要旨:(当研究グループのメンバーのみ閲覧download可)
      11月 2日(火) 13:30〜18:40
       13:30〜13:40 篠塚雄三/和歌山大 はじめに

       セッションA 【固体内励起エネルギー移動 −希土類発光を中心に−】 司会:萱沼洋輔/大阪府大、 金崎順一/阪大産研

       13:40-14:10 A-1 藤井 稔/神戸大工 Siナノ結晶からのエネルギー移動による希土類イオンの励起
       14:10-14:40 A-2 趙 新為/東京理科大理 希土類添加半導体におけるエネルギー伝達
       14:40-15:10 A-3 藤原康文、寺井慶和、西川敦/阪大院工 希土類添加半導体における希土類イオン励起へのエネルギー伝達
            休 憩
       15:30-16:00 A-4 田部勢津久/京大院人環 希土類波長変換蛍光体におけるエネルギー伝達
       16:00-16:30 A-5 望月章介/日大文理 希土類酸化物の光誘起現象
       16:30-17:00 A-6 宮本 明/東北大工 電子状態計算
       17:10-18:40 ポスターセッション
       19:00-21:00   懇親会

      11月 3日(水)  9:00〜17:00
       セッションB 【電子励起がもたらす固体内原子移動】 司会:平井達也/NTT-PH研、 保田英洋/阪大電顕
        9:00- 9:30 B-1 上田 修/金沢工大 半導体発光デバイスと結晶欠陥
        9:30-10:00 B-2 大野 裕/東北大金研 格子欠陥物性
       10:00-10:30 B-3 前田康二/東大工 電子励起下での転位運動の駆動力
            休 憩
       10:50-11:20 B-4 竹田精治、吉田秀人、桑内康文/阪大・産研 金属ナノ粒子触媒の電子照射効果
       11:20-11:50 B-5 秋永広幸、島 久/産総研 金属/酸化物ヘテロ構造における電界・電流誘起酸素欠陥分布制御技術とその不揮発性メモリ開発への応用
            昼 食
       セッションC【電子励起がからむ酸化物の状態制御と光電気物性】 司会:伊東千尋/和歌山大、 赤澤方省/NTT
       13:00-13:30 C-1 大西 剛/物材機構二次電池材料グループ SrTiO3のPLD成長における組成制御
       13:30-14:00 C-2 須崎友文/東工大応用セラミックス研 SrTiO3の電気/光伝導特性
       14:00-14:30 C-3 菅 大介、島川祐一/京都大化学研 強還元SrTiO3の青色発光
       14:30-15:00 C-4 藤村昌寿、井上敏之、栖原敏明/阪大工 紫外光下電圧印加によるMgO:LiNbO3周期分極反転構造作製
            休 憩
       15:20-15:50 C-5 高井幹夫/阪大極限量子科学 レーザー誘起によるLiNbO3結晶からの電子放出
       15:50-16:20 C-6 南 内嗣/金沢工大O.E.D.S.R&Dセンター ZnO透明導電膜形成における励起過程
       16:20-16:50 C-7 大橋直樹/物材機構 ウルツ鉱型ワイドギャップ半導体中の欠陥の挙動
       16:50-    篠塚雄三/和歌山大 おわりに
          終了



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