2012春 (第59回)
開催テーマ：「ナノひずみエレクトロニクス- 半導体ナノひずみの新規デバイス応用と高分解能測定 -」
2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム
開催概要
- 開催日時
- 2012年03月15日
- 会場
- 早稲田大学
- 主催
- 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
| 1 | 13:00～13:10 | はじめに | 鈴木 秀俊 (宮崎大IRO) |
| 2 | 13:10～13:50 | 元素及び化合物半導体の格子歪と欠陥 | 柿本 浩一，Bing Gao，中野 智，寒川 義裕（九州大学応力研） |
| 3 | 13:50～14:15 | 半導体材料局所領域における微細構造・歪のX線マイクロ回折評価 | 酒井 朗1，吉川 純1，中村 芳明1，今井 康彦2，坂田 修身2，木村 滋2（阪大院基礎工1，高輝度光科学研究セ2） |
| 4 | 14:15～14:40 | ナノひずみ制御による超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのデバイス応用 | 山口 浩一（電通大院情報理工） |
| 5 | 14:40～15:05 | 半導体薄膜結晶のひずみを観る | 桑野 範之1，桑原 崇彰2（九大産学連携センター1，九大総理工2) |
| 15:05～15:20 | 休 憩 |
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| 6 | 15:20～16:00 | 半導体とひずみ | 上田 修（金沢工大） |
| 7 | 16:00～16:25 | X線ベリー位相効果を用いた新しい微小歪み評価法 | 香村 芳樹，澤田 桂，石川 哲也（理研SPring-8センター） |
| 8 | 16:25～16:50 | 放射光を用いたナノひずみのその場測定と制御 | 高橋 正光（原子力機構） |
| 9 | 16:50～17:15 | 透過型電子顕微鏡を用いた半導体デバイスの解析 | 遠藤 徳明，奥西 栄治，近藤 行人 (日本電子) |