2016秋 (第77回)
開催テーマ：「窒化物半導体の最前線－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－ 」
第77回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム
開催概要
- 開催日時
- 2016年09月14日
- 会場
- 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
＊応用物理学会講演会会場
- 主催
- 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
プログラム
| 1 | 13:00～13:05 | はじめに | 天野 浩、白石 賢二（名大） |
| 2 | 13:05～13:35 | 窒化物デバイスの新展開 | 葛原 正明（福井大） |
| 3 | 13:35～14:05 | GaNバルク結晶成長の新展開 | 森 勇介（阪大) |
| 4 | 14:05～14:35 | GaNエピタキシャル成長の新展開 |
松岡 隆志（東北大） |
| 5 | 14:35～15:05 | GaN結晶成長シミュレーションの新展開： 第一原理計算に基づくアプローチ |
寒川 義裕（九大） |
| 15:05～15:20 | 休 憩 | ||
| 6 | 15:20～15:50 | GaN系トランジスタにおける界面制御 | 橋詰 保（北大） |
| 7 | 15:50～16:20 | GaN電子デバイスの可能性 |
清水 三聡（産総研） |
| 8 | 16:20～16:50 | GaNパワーデバイスの現状 |
須田 淳（京大） |
| 9 | 16:50～17:20 | GaN高周波デバイスの現状 | 原 直樹（富士通研） |
| 10 | 17:20～17:50 | GaN光デバイスの現状 | 牛田 泰久（豊田合成） |