第113回研究会 (2001.4) 開催日時： 2001年04月25日 開催テーマ：SOIの結晶工学 －0.1μｍ時代のシリコン基板－ コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2001年04月25日 会場 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 SOI技術のメリット、課題および展望 岸野 正剛 (姫工大) SOI基板形成機構 Epitaxial Layer Transfer(ELTRANR) Technology for SOI-Epi WafersTM 米原 隆夫、佐藤 信彦 (キャノン) SOI基板形成機構 —SIMOX 中嶋 定夫 (NTT) 結晶欠陥評価 PLおよび陽電子消滅による欠陥評価 小椋 厚志 (NEC)、田島 道夫 (宇宙研)、上殿 明良 (筑波大) SOI層への不純物拡散と電気特性 —SOI活性層中のキャリア分布と不純物拡散の遅延現象— 荒井 英輔、内田 秀雄、市村 正也 (名工大) SOIのデバイス・プロセス SOIデバイス技術の現状と今後の展望 井納 和美 (東芝セミコンダクター) 薄膜SOIウェーハへのデバイスからの要求 山本 秀和、成岡 英樹、服部 信美 (三菱電機)
