第120回研究会 (2004.4) 開催日時: 2004年04月23日 開催テーマ:半導体材料としてのZnO —基板、結晶性、ドーピング— コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2004年04月23日 会場 学習院創立百周年記念会館3F 小講堂 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 III族窒化物との類似点と相違点—ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル— 秩父 重英1-3,上殿 明良1,宗田 孝之 4,川崎 雅司5,6(筑波大数理物質1、科学技術振興機構2、理化学研3、早大4、東北大金研5、物材機構6) 水熱合成法によるZnO単結晶育成—大口径基板実用化を目指して— 前田 克己,佐藤 充,新倉 郁生 (東京電波) ZnOバルク結晶の特性制御—単結晶基板、および、電子デバイス応用を目指して— 大垣 武,大橋 直樹,羽田 肇 (物材機構) c面サファイア及びZnO基板上へのMBE-ZnO成長—結晶の高品質化とn型ド-ピング— 加藤 裕幸,宮本 和弘,佐野 道宏 (スタンレー電気) 薄膜成長層の高品質化に向けた課題—RS-MBEによるエピタキシャル成長— 岩田 拡也,ポール フォンス,山田 昭政,松原 浩司,仁木 栄 (産総研) The growth of phosphorus doped p-ZnO epilayer on sapphire—An approach using phosphorus and RTA— Kyoung-Kook Kim,Seong-Ju Park,Tae-Yeon Seong (Kwangju Institute of Science and Technology) MOMBEによるp型ZnOの成長とオーミックコンタクトの検討 末宗 幾夫,栗本 誠,海老原 正人 (北海道大電子科学研)