ワイドギャップ半導体 総論

松波 弘之 (科学技術振興機構)

SiCエピタキシャル成長

北畠 真，高橋 邦方(松下電器産業先行デバイス開発センター)

SiCパワーデバイス技術

大塚 健一，樽井 陽一郎，松野 吉徳*，杉本 博司，今泉 昌之，高見 哲也(三菱電機 先端技術総合研究所、(三菱電機 パワーデバイス製作所*))

GaN高周波パワーデバイス技術

宮本 広信，安藤 裕二，岡本 康宏，中山 達峰，幡谷 耕二，井上 隆，葛原 正明(新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター)

昇華法によるSiCバルク単結晶成長

西澤 伸一，加藤 智久，荒井 和雄(産総研パワーエレクトロニクス研究センター)

フラックスを用いたGaN単結晶のLPE成長

川村 史朗，森 勇介，佐々木 孝友 (阪大院工)

ダイヤモンドのパワーデバイス応用可能性と課題

酒井 忠司，小野 富男，佐久間 尚志，吉田 博昭，鈴木 真理子 (東芝研究開発センター)