次世代不揮発性メモリの本命を占う

三宅 常之 (日経BP)

強誘電体メモリ材料の新しい展開

奥山 雅則 (阪大)

混載FeRAM用強誘電体の開発と今後の展開

那須 徹，林 慎一郎，野間 淳史，十代 勇治(松下電器産業)

MRAM高密度化と書込み特性

甲斐 正，中山 昌彦，池川 純夫，浅尾 吉昭，與田 博明 (東芝)，石綿 延行，波田 博光，田原 修一 (日本電気)

マルチフェロイック材料の設計とデバイス応用

藤村 紀文 (大阪府立大)

相変化不揮発性メモリの可能性

中山和也，高田雅史，泉 貴富 (金沢大)

遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング･メモリ

澤 彰仁1，藤井 健志1,2，川崎 雅司1,2，十倉 好紀1,3(産総研1，東北大2、東大3)

Future prospect of new emerging Nonvolatile RAM

Kinam Kim，Hongsik Jeong，Sungyoung Lee，Kwanhyeob Ko (Samsung Electronics)