公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会

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第127回研究会 (2007.7)

開催日時: 2007年07月13日

開催テーマ:IV族系半導体のひずみエンジニアリング :ひずみ・応力が結晶物性を変える

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開催概要

開催日時
2007年07月13日
会場
学習院創立百周年記念会館 3F小講堂
主催
公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
  • IV族系ひずみ半導体物性の基礎とデバイス応用

    白木 靖寛 (武蔵工大)

  • ひずみSiチャネルのバンド構造と移動度の理論解析

    鎌倉 良成、谷口 研二 (阪大)

  • 超臨界膜厚ひずみSi/SiGeの欠陥制御

    木村 嘉伸、杉井 信之 (日立中研)

  • 異方性ひずみ制御技術と先端CMOSデバイス

    入沢寿史 (MIRAI-ASET)

  • シリコンナノ細線への熱酸化応力誘起とフォノン閉じ込め効果

    深田 直樹1、大島 崇2、岡田 直也2、松下 聡2、鶴井 隆雄3、陳 君1、関口 隆史1、村上 浩一2(物材機構1、筑波大2、東北大3)

  • 極端に非対称なX線回折法と光電子分光法の併用による絶縁膜-半導体界面の物性評価

    秋本 晃一 (名大)、廣瀬 和之 (宇宙研)

  • 電子顕微鏡周辺技法を用いた歪み解析へのアプローチ

    杉山 直之 (東レリサーチセンター)

  • Siのひずみ評価技術

    小椋 厚志 (明治大)

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