第131回研究会 (2009.7) 開催日時： 2009年07月17日 開催テーマ：結晶欠陥の評価でみえる窒化物半導体の進展 コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2009年07月17日 会場 京都テルサ 大会議室 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 【基調講演】 窒化物半導体中の結晶欠陥とデバイスの特性 天野 浩、岩谷 素顕、上山 智、赤崎 勇 (名城大) 透過電子顕微鏡法によるGaN 系半導体レーザ中の結晶欠陥解析 冨谷 茂隆、後藤 修、池田 昌夫 (ソニー) 貫通転位は制御できるか—電顕による評価と生成・消滅機構の解析— 桑野 範之 (九大) 窒化物半導体の高分解X線回折測定でわかる結晶欠陥の評価 草野 修治 (スペクトリス) 放射光を利用した窒化物光半導体の評価 榊 篤史 (日亜化学) CL法を用いた窒化物系半導体素子の構造評価 杉江 隆一，三谷 武志，吉川 正信(東レリサーチセンター) 近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ 川上 養一，金田 昭男，船戸 充 (京大)
