第135回研究会 (2011.6)（応用電子物性分科会 連携研究会） 開催日時： 2011年06月23日 開催テーマ：ワイドギャップ半導体パワーデバイス ～ 結晶成長と評価の最前線 ～ コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2011年06月23日 会場 京都テルサ 大会議室 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 【基調講演】 SiCパワーデバイスの現状と将来展望 木本 恒暢（京都大学） SiC単結晶成長技術の現状と課題 山内 庄一（デンソー） 4H-SiCエピ成長と欠陥挙動解析 土田 秀一（電力中央研究所） SiC加工表面の非接触評価 江龍 修（名古屋工業大学） パワーデバイス用GaN基板の開発 碓井 彰（古河機械金属） 大口径ＧaN/Si基板の開発 小宮山 純（コバレントマテリアル） MOCVD法によるSi基板上AlGaN/GaN HEMTについて 江川 孝志（名古屋工業大学）
