第137回研究会 (2012.6)（応用電子物性分科会 連携研究会） 開催日時： 2012年06月15日 開催テーマ：窒化物半導体光デバイスの最前線 ～ 基板・エピ成長と評価技術 ～ コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2012年06月15日 会場 京都テルサ 第一会議室 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 【基調講演】窒化物半導体エピタキシャル成長の新展開 天野 浩 （名古屋大学） ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長 只友 一行 （山口大学） 電子顕微鏡観察で見えること —転位やドメイン— 桑野 範之 （九州大学） X線回折を用いた窒化物半導体エピタキシャル膜の評価法 草野 修治 （スペクトリス） HVPEによるGaNの超高速成長 吉田 丈洋（日立電線） GaN基板を用いたInGaN-LED 横川 俊哉 （パナソニック）
