第138回研究会 (2013.4) 開催日時: 2013年04月19日 開催テーマ:次世代不揮発性メモリ材料・デバイスを 結晶工学の視点から探る コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2013年04月19日 会場 産総研臨海副都心センター別館 (バイオ・IT融合研究棟) 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 【基調講演】半導体新型不揮発メモリの開発競争 藤崎 芳久 (日立中研) PCRAM用Ge-Te系薄膜の相変化挙動 須藤 祐司 (東北大) 放射光時間分解X線回折法による相変化メモリ材料の動的構造計測 田中 義人 (理研) 抵抗変化型酸化物薄膜不揮発性メモリーの開発と放射光界面解析 尾嶋 正治 (東京大) 酸化物積層構造を用いた強誘電体ゲートトランジスタ 金子 幸広 (パナソニック) 原子移動を利用した3端子素子 長谷川 剛 (物材機構)