開催概要

開催日時

2013年06月06日

会場

京都テルサ 第一会議室 （西館３階）

主催

公益社団法人応用物理学会　結晶工学分科会

• 【基調講演】パワーデバイス用ワイドバンドギャップ半導体材料の工業化への課題

  乙木 洋平 (日立電線)

• SiC単結晶ウェーハ開発の現状とその課題

  大谷 昇 (関西学院大)

• デバイスに向けた酸化ガリウム半導体の結晶成長と物性制御

  藤田 静雄 (京都大)

• HVPEによるGaN結晶作製

  碓井 彰 (古河機械金属)

• Naフラックス法によるGaN結晶育成技術

  森 勇介 (大阪大)

• 様々な基板上へのGaN系LEDの現状と展望

  天野 浩 (名古屋大学)

• SiC基板上へのIII族窒化物のコヒーレント成長

  須田 淳 (京都大)