第141回研究会 (2014.6) 開催日時： 2014年06月06日 開催テーマ：GaN，SiC系パワーデバイス —結晶欠陥の評価・制御の最前線— コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2014年06月06日 会場 名古屋大学 坂田・平田ホール (理学南館) 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 【基調講演】Siパワーデバイスにおける結晶欠陥制御技術 山本 秀和（千葉工業大学） SiCの拡張欠陥のイメージングと欠陥制御 土田 秀一（電力中央研究所） SiC拡張欠陥とショットキーダイオード特性の相関 藤原 広和（トヨタ自動車） SiCバイポーラデバイスに向けた点欠陥の解明と制御 須田 淳，木本 恒暢（京都大学） GaN系異種接合特性と界面欠陥の関連性 橋詰 保（北海道大学） GaN-on-GaN HEMTのデバイス特性に基づく結晶欠陥制御の重要性 南條 拓真，柳生 栄治（三菱電機）
