第145回研究会 (2016.6) 開催日時： 2016年06月03日 開催テーマ：ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術 コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2016年06月03日 会場 名古屋大学 東山キャンパス 坂田・平田ホール 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 HVPE法によるn型AlNバルク基板作製の検討 熊谷義直1，富樫理恵1，山本玲緒1,2，永島徹2，木下亨2，村上尚11，Monemar Bo1,3，纐纈明伯1（1東京農工大学，2トクヤマ，3Linköping University） ヘテロエピタキシャル成長技術を用いた高品質・大面積ダイヤモンド基板の開発 澤邊 厚仁1，會田英雄2，児玉英之1（1青山学院大学，2並木精密宝石） 大型高品質単結晶ダイヤモンドの高圧高温合成と欠陥制御 角谷 均 （住友電気工業） Ga2O3基板とホモ/ヘテロエピタキシャル成長技術 佐々木 公平1,2,3、倉又 朗人1,2、増井 建和1,2、後藤 健1,2,4、森島 嘉克1、飯塚 和幸1、 ティユ クァン トゥ4、富樫 理恵4、村上 尚4、熊谷 義直4、モネマー ボ5、 東脇 正高3、山腰 茂伸1,2（1タムラ製作所，2ノベルクリスタルテクノロジー，3情報通信研究機構，4東京農工大学，5リンチョピン大学） 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長 斉藤 真1,2，包 全喜1,3，栗本 浩平1,3，冨田 大輔1， 小島 一信1，鏡谷 勇二2，茅野 林造3，石黒 徹1，秩父 重英1 （1東北大学，2三菱化学，3日本製鋼所） SiCバルク基板の大口径化・高品質化 大谷 昇 （関西学院大学） GaN on Siヘテロエピタキシャル成長 江川 孝志 (名古屋工業大学)
