第147回研究会 (2017.6) 開催日時： 2017年06月09日 開催テーマ：ワイドバンドギャップ半導体デバイス～窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御～ コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 2017年06月09日 会場 大阪大学大学院基礎工学研究科シグマホール 開催形式 大阪大学大学院基礎工学研究科シグマホール 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 エッチピット法によるGaN中の転位検出と分類 石川 由加里（ファインセラミックスセンター） GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性 秩父 重英1,2、小島 一信1、上殿 明良3（1東北大学、2名古屋大学、3筑波大学） 界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価 塩島 謙次 （福井大学） 放射光を利用したGaN-HEMTの界面状態解析 舘野 泰範1、駒谷 務2、河内 剛志1、斎藤 吉宏1、飯原 順次1、 米村 卓巳1、大美賀 圭一1,3、 吹留 博一3、中林 隆志1（1住友電気工業、2住友電工デバイスイノベーション、3東北大学） SiCの成長およびプロセス誘起欠陥の制御 木本 恒暢 （京都大学） ゲート絶縁膜／SiCおよびGaN界面特性の評価と制御 渡部 平司 （大阪大学）
