p-GaN中の点欠陥のDLTSによる評価

徳田 豊（愛知工業大学）

陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価

上殿 明良1、石橋 章司2、小島 一信3、秩父 重英3（1筑波大学、2産総研、3東北大学）

Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価

秩父 重英1,2,3、嶋 紘平1、小島 一信1、高島 信也 4、上野 勝典4、江戸 雅晴4、井口 紘子5、成田 哲生5、片岡 恵太5、石橋 章司6、上殿 明良7（1東北大学，2名古屋大学，3北海道大学、4富士電機、5豊田中研、6産総研、7筑波大学）

Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討

高島 信也 1、田中 亮1、上野 勝典1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1、高橋 言緒2、清水 三聡2、石橋 章司2、中川 清和3、堀田 昌宏4、須田 淳5、嶋 紘平6、小島 一信6、秩父 重英6、上殿 明良7（1富士電機、2産総研、3山梨大学、4京都大学、5名古屋大学，6東北大学，7筑波大学）

p-GaNに形成したショットキーおよびMOS接合の評価

橋詰 保 （北海道大学）

p-GaN中の結晶欠陥の複合的な評価

小出 康夫、坂田 修身、渡邊 賢司、三石 和貴、生田目 俊秀、色川 芳宏 （物質・材料研究機構）