緩和した中間Al組成AlGaNの作製とUV-Bレーザの作製

岩谷 素顕1，佐藤 恒輔1,2，田中 隼也1，手良村 昌平1，大森 智也1，山田 和輝1，石塚 彩花1，下川 萌葉1，荻野 雄矢1，岩山 章1,3，竹内 哲也1，上山 智1，赤﨑 勇1,4，三宅 秀人3 (1名城大，2旭化成㈱，3三重大，4名大)

AlNおよび高AlNモル分率AlGaN混晶におけるAl空孔複合体の役割

秩父 重英1，嶋 紘平1，小島 一信1，三宅 秀人2，上殿明良3 (1 東北大学，2 三重大学，3筑波大学)

サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発

三宅 秀人，正直 花奈子，肖 世玉，上杉 謙次郎，窪谷 茂幸 (三重大学)

HVPE法による単結晶AlN基板開発の進展

永島 徹 (トクヤマ)

酸化物半導体MgZnOの結晶成長とサブ200 nmの発光特性

尾沼 猛儀1，工藤 幹太1，石井 恭平2, 小野 瑞生1，太田 優一3， 金子 健太郎2，山口 智広1，藤田 静雄2，本田 徹1　(1工学院大学， 2京都大学，3 東京都立産業技術研究センター)

二次元ワイドバンドギャップ物質・六方晶窒化ホウ素の光学特性とその応用

渡邊 賢司，谷口 尚 (NIMS)