第163回結晶工学分科会研究会（応用電子物性分科会との合同研究会）
開催テーマ：ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線
ワイドギャップ半導体電子デバイスでは、結晶成長技術やプロセス技術の進展とともに、縦型デバイスやウルトラワイドバンドギャップデバイスへの拡大が、この数年で急速に進んでいます。その背景となる物理現象も少しずつ解明されつつあります。この研究会では、結晶成長およびプロセス開発を主眼に置き、それらを支える物性評価も含めて、結晶工学的および電子物性的な観点で議論を行うことを目的として企画されたもので、第一線でご活躍されている方々に下記のプログラムにて招待講演をいただきます。
開催概要
- 会場
- 天満研修センター ７０５室 （大阪市北区錦町2-21）
- 開催形式
- 対面＆Zoomによるハイブリッド開催
- 主催
- 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
参加費
| 結晶工学・応用電子 分科会 一般会員 |
結晶工学・応用電子 分科会 学生会員 |
応用物理学会会員 (分科会 非会員) |
シニア会員 | 一 般 | 学 生 |
| ６,０００円 | ２,０００円 | １５,０００円 | ５,０００円 | ２０,０００円 | ４,０００円 |
プログラム
＊＊＊プログラム（４月２５日現在，PDF）＊＊＊
６月１８日（水）：結晶工学分科会第１６３回研究会
| １ | 10:00～10:05 | 応用電子物性分科会 幹事長 挨拶 | |
| ２ | 10:05～10:10 | 企画趣旨説明 | 担当幹事 |
| ３ | 10:10～10:55 | 電子線照射を活用したGaNの真性欠陥トラップ評価 | 堀田 昌宏(名大) |
| ４ | 10:55～11:40 | 石英フリーHVPE法による大口径・高純度GaN on GaNウエハ | 藤倉 序章(住友化学) |
| 11:40～13:00 | 休憩 | ||
| ５ | 13:00～13:45 | 高周波・高出力N極性GaN HEMTの開発 | 吉田 成輝(住友電工) |
| ６ | 13:45～14:30 | レゾナックにおけるSiCエピウェハー開発 | 金澤 博(レゾナック) |
| 14:30～14:55 | 休憩 | ||
| ７ | 14:55～15:40 | 厳環境動作IC実現に向けたSiC相補型JFETの提案とその動作実証 | 金子 光顕(京大) |
| ８ | 15:40～16:25 | 酸化ガリウムホモエピタキシャルウェハの開発 | 熊谷 義直(東京農工大) |
担当幹事：前田(東大)、船戸（京大）、谷川（阪大）
６月１９日（木）応用電子物性分科会研究例会
| １ | 10:00～10:10 | 応用電子物性分科会 幹事長 挨拶 | |
| ２ | 10:10～10:55 | 高チャネル移動度と安定なノーマリーオフ動作を実現するGaN MOSFETの界面電荷制御 | 成田 哲生(豊田中研) |
| ３ | 10:55～11:40 | Mgイオン注入の進展とGaN JBSダイオードの実証 | 加地 徹(名大) |
| 11:40～13:00 | 休憩 | ||
| ４ | 13:00～13:45 | AlN電子デバイス技術の進展 | 谷保 芳孝(NTT物性研) |
| ５ | 13:45～14:30 | 超高耐圧SiC IGBTの開発とその低損失化 | 渡辺 直樹(日立) |
| 14:30～14:55 | 休憩 | ||
| ６ | 14:55～15:40 | SiC MOSFETにおけるゲート酸化膜の信頼性評価 | 野口 宗隆(三菱電機) |
| ７ | 15:40～16:25 | 酸化ガリウムデバイスの最近の進展 | 宮本 広信(ノベルクリスタルテクノロジー) |
担当幹事：山口（金沢工大）、岩谷（名城大）、久保（名工大）
お問い合わせ先
問合せ先：白石/吉田 （応用物理学会 事務局）
TEL: 03-3828-7723（直通） E-mail: divisions@jsap.or.jp
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