第164回結晶工学分科会研究会

開催日時: 2026年04月24日 - 2026年04月24日 13:00-17:10

開催テーマ:新物質・材料と結晶工学

半導体エレクトロニクスやフォトニクスの分野では,シリコンや化合物半導体に続く次世代の基盤技術として,優れた物性を持つ「新物質・新材料」の開拓が進められています.酸化物や窒化物の混晶系,二次元材料,あるいは未開拓のハイエントロピーマテリアルなど,従来の枠組みを超えた材料が注目を集めており,その社会実装への期待が高まっています.しかし,これら新物質が持つポテンシャルをデバイスとして最大限に引き出すためには,高品質な結晶育成技術の確立や,欠陥・不純物の制御,異種材料界面の理解といった「結晶工学」の知見が不可欠です.
今回は,新物質・材料の創製からその機能開拓,デバイス応用まで,当該分野の最前線で挑戦されている研究者の方々に御講演頂く研究会を企画しました.結晶工学を中心とした分野で活動されている研究者が,新物質・材料の研究開発における結晶工学の役割を再認識するとともに,実用化に向けた課題や新たな可能性について深く御議論頂けると幸いです.

開催概要

開催日時
2026年04月24日 - 2026年04月24日 13:00-17:10
会場
ボルファートとやま 4F 珊瑚の間 (富山県富山市奥田新町8−1)
開催形式
ハイブリッド開催(Zoom)
主催
公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会

参加費

結晶工学
分科会会員*
結晶工学
分科会学生会員
応用物理学会会員・
協賛学会会員
一 般  一般学生
3,000円 1,000円 7,000円 10,000円 2,000円

*分科会賛助会社の方は分科会会員扱い(3,000円)とします.
また,当日ご入会の方も結晶工学分科会会員扱いとします.
決済手数料が別途かかりますがご了承ください. 

プログラム

13:00~13:10 結晶工学分科会幹事長 挨拶
13:10~13:55 立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)のエピタキシャル成長とSc組成制御 前田 亮太 (NTT)
13:55~14:40 14族超ワイドギャップ酸化物半導体の薄膜成長と物性開拓 廣瀬 靖 (東京都立大学)
14:40~15:25 金属性デラフォサイト型酸化物の特徴と展望 原田 尚之 (NIMS)
15:25~15:40 休憩
15:40~16:25 薄膜合成技術と固体化学反応を駆使した新物質・材料開拓 相馬 拓人 (東北大学)
6 16:25~17:10 ハイエントロピー化合物の物質開発と超伝導体におけるハイエントロピー効果 平井 大悟郎 (名古屋大学)

お問い合わせ先

白石 陽子 (応物事務局) TEL: 03-3828-7723(分科会直通) E-mail: divisions@jsap.or.jp
反保 衆志 (産総研) E-mail: tampo-21@aist.go.jp
太田 優一 (富山県立大学) E-mail: ota.yuichi@pu-toyama.ac.jp