第165回結晶工学分科会研究会・応用電子物性分科会研究例会（合同研究会）
開催テーマ：ワイドギャップ半導体に基づく光・量子デバイスの最前線
結晶工学分科会第165回研究会および応用電子物性分科会研究例会を、7月9日(木)・10日(金)の2日間にわたり開催いたしま
す。本研究会では、GaN系レーザー・LED、UV LD、VCSEL、量子光源、光AIなど、ワイドギャップ半導体を基盤とした最先端の光・量
子デバイス研究について議論いたします。産学の第一線の研究者による講演を通じて、分野横断的な知見共有と今後の研究展開を
議論する機会といたします。皆様のご参加を心よりお待ち申し上げます。
開催概要
- 開催日時
- 2026年07月09日 - 2026年07月10日 2026年7月9日（木）10:00～16:25／2026年7月10日（金）10:00～16:25
- 会場
- ウインクあいち 1203会議室 （愛知県名古屋市中村区名駅４丁目４−３８） → アクセス
- 開催形式
- ハイブリッド（対面+Zoom）
- 主催
- 結晶工学分科会・応用電子物性分科会
参加費
| 結晶工学・応用電子 分科会 一般会員 |
結晶工学・応用電子 分科会 学生会員 |
応用物理学会会員 (分科会 非会員) |
シニア会員 | 一 般 | 学 生 |
| ６,０００円 | ２,０００円 | １５,０００円 | ５,０００円 | ２０,０００円 | ４,０００円 |
プログラム
＊＊＊プログラム（４月２３日現在，PDF）＊＊＊
７月９日（木）：結晶工学分科会第１６５回研究会
| １ | 10:00～10:05 | 結晶工学分科会 幹事長 挨拶 | |
| ２ | 10:05～10:10 | 企画趣旨説明 | 担当幹事 |
| ３ | 10:10～10:55 | GaN系ワット級青色PCSEL（仮題） | 江本渓(スタンレー電気) |
| ４ | 10:55～11:40 | AlN/AlGaN超格子を用いた深紫外発光デバイスの研究開発 | 江端一晃(NTT物性研) |
| 11:40～13:00 | 休憩 | ||
| ５ | 13:00～13:45 | 人為形成三次元構造によるInGaN系RGBマイクロLEDの結晶成長集積 | 松田祥伸(京都大) |
| ６ | 13:45～14:30 | UV-B半導体レーザーの高効率化に向けたAlGaNヘテロ構造の結晶成長と物性制御 | 齋藤巧夢(名城大) |
| 14:30～14:55 | 休憩 | ||
| ７ | 14:55～15:40 | 量子コンピュータ用光源の開発（仮題） | 平井誉主在(オキサイド) |
| ８ | 15:40～16:25 | 長共振器VCSELと光パラメータ制御 | 濱口達史(九州大) |
担当幹事：船戸（京大）、谷川（名城大）、前田(東大)
７月１０日（金）応用電子物性分科会研究例会
| １ | 10:00～10:10 | 応用電子物性分科会 幹事長 挨拶 | |
| ２ | 10:10～10:55 | GaAs LDを励起光源とした大出力Yb:YAGセラミクスレーザの研究開発 | 関根尊史(浜松ホトニクス) |
| ３ | 10:55～11:40 | 単結晶AlN基板を用いたAlGaN系深紫外LD | 張梓懿(ULTEC) |
| 11:40～13:00 | 休憩 | ||
| ４ | 13:00～13:45 | 光無線給電の研究：IoT端末から移動体，水中まで | 宮本智之(東京科学大) |
| ５ | 13:45～14:30 | 薄膜LiNbO3・窒化物半導体を用いた光AIプロセッサ開発 | 片山竜二(大阪大) |
| 14:30～14:55 | 休憩 | ||
| ６ | 14:55～15:40 | MoS2/GaNヘテロ構造を用いたUTC-PDの研究開発 | 門脇拓也(日亜化学) |
| ７ | 15:40～16:25 | フレキシブルGaN系μLED-ECoG神経インターフェースの開発 | 関口寛人(名城大) |
担当幹事：岩谷（名城大）、堀田(名大)、久保（名工大）
お問い合わせ先
白石/吉田 （応用物理学会 事務局） TEL: 03-3828-7723（直通） E-mail: divisions@jsap.or.jp