開催概要

開催日時

1983年02月04日

会場

学習院大学百年記念会館第4会議室

主催

公益社団法人応用物理学会　結晶工学分科会

• 最近の赤外分光器

  新井 敏弘、小川 力 (筑波大物工)

• フーリエ変換形赤外分光光度計の装置とソフトウェアー

  松本 普 (日本ディジラボ)

• 赤外レーザ分光法によるシリコン結晶評価法

  大沢 昭、本田 耕一郎 (富士通研)

• CO2レーザエリプソメトリーによる半導体中のキャリヤ濃度深さ分布の測定

  本岡 輝昭、蕨迫 光紀、徳山 巍 (日立中研)、渡辺 俊典 (日立システム研)

• シリコン中の酸素、炭素及び窒素濃度の測定

  宇佐美 俊郎 (東芝総研)

• 赤外線トモグラフィーによる半導体結晶欠陥の観察

  守矢 一男、小川 智哉 (学習院大理)

• 半導体研究への速赤外の応用 —不純物、格子欠陥の問題について—

  服部 武志 (阪大工)

• 赤外吸収によるSiのライフタイム測定

  蕨迫 光紀、徳山 巍 (日立中研)

• 赤外線レーザアニール

  相崎 尚昭 (日電基礎研)