開催概要

開催日時

1984年07月20日

会場

学習院大学百年記念会館小講堂

主催

公益社団法人応用物理学会　結晶工学分科会

• 付加化合物を用いた砒化ガリウムと燐化インジウムのOMVPE

  皆川 重量、中村 均、佐野 日隅 (日立中研)

• MBE成長GaAs:SiにおけるSi原子の格子位置の検討

  向田 陽子、成沢 忠、小林 啓介、 太田 恒明、中島 真人、中島 尚男 (光共研)

• GaAs系半導体のハロゲン輸送気相成長法と成長メカニズム

  水谷 隆 (日電基礎研)

• X線準禁制反射法によるGaASのノンストイキオメトリーの評価

  藤本 勲 (NHK基礎研)

• In1-xGaxP1-yAsy y=0.04の2相メルト法によるGaAs基板上へのLPE成長とフォトルミネッセンスによる評価

  刈谷 哲也 (高知大理)、白方 祥、近藤 正彦、都志 彰人、西野 種夫、浜川 圭弘 (阪大基礎工)

• MBE成長 Si-doped GaAs, AlGaAs中のDeep Level

  渡辺 美代子、森塚 宏平、真下 正夫、芦沢 康夫、造田 安民 (東芝総研)

• パネルディスカッション —結晶の品質からみたエピタルキシャル成長法の比較—