第92回研究会 (1989.5) 開催日時： 1989年05月26日 開催テーマ：ヘテロエピタキシー —低欠陥化へのアプローチ— コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 1989年05月26日 会場 大阪大学レーザー核融合研究センター研究棟4階大ホール 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 Si基板上のGaAsエピタキシーにおける成長初期週程と欠陥 川辺 光央 (筑波大) Si基板上へのシングルドメインGaAs，GaPの成長 梅野 正義、神保 孝志、曽我 哲夫 (名大工)，野崎 真次 (インテル研究所)， 能登 宣彦 (信越半導体) GaAs/SiのMEE成長 野沢 和彦、堀越 佳治、W. Stolz (NTT基礎研) ポーラスSi基板上へのGaAsのMBE成長 伊藤 利道、平木 昭夫 (阪大工)，長谷川 繁彦、前橋 兼三、佐藤 正道、中島 尚男(阪大産研) V溝Si基板上GaAs層の選択成長と評価 橋本 明弘、福永 敏明、渡辺 望 (光技研) Si(001)基板上へのGeのへテロエピタキシ 三木 一司、坂本 統徳、坂本 邦博、奥村 元、吉田 貞史 (電総研) 弗化物/Si構造上へのGaAs膜のへテロエピタキシー 石原 宏 (東工大精研)、筒井 一生、古川 静二郎 (東工大総理工)) Si上へのSiCのヘテロエピタキシー 松波 弘之 (京大工)
