開催概要

開催日時

1996年01月19日

会場

学習院大学創立百周年記念会館3F 小講堂

主催

公益社団法人応用物理学会　結晶工学分科会

イントロ

• LSIプロセスから見た金属/半導体界面における課題

  木村 伸一郎 (日立)

• G-bit ULSIの電極技術 —材料サイドからの問題提起

  中嶋 一雄 (富士通)




界面における電気伝導

• 界面構造と電気伝導

  安田 幸夫、財満 鎭明 (名大)

• 遷移金属シリサイドの電子状態と界面でのEELSの解釈への応用

  田中 功、足立 裕彦 (京大)




微小領域の材料評価

• 半導体の表面・界面のTEMによる評価

  横田 康広 (岡山理科大)




界面における拡散と反応機構

• Ti/Si基板構造における界面反応

  小川 真一 (松下電子工業)

• Coシリサイド

  助川 孝江 (富士通)，中村 友二、川村 和郎、富田 博文、後藤 賢一 (富士通研)

• Niシリサイド

  須黒 恭一 (東芝)

• 高融点金属シリサイドの界面反応

  財満 鎭明、岩野 博隆、安田 幸夫 (名大)




まとめ

• 金属/半導体界面制御の今後の課題

  村上 正紀 (京大)