第107回研究会 (1997.5) 開催日時： 1997年05月30日 開催テーマ：IV族ワイドギャップ半導体SiC、ダイヤモンドの結晶工学 —耐環境電子素子を目指して— コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 1997年05月30日 会場 島津製作所大阪支社マルチホール 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 イントロ —ワイドギャップ半導体SiCの結晶工学— 松波 弘之 (京大工) Si基板上への3C-SiCのCVD/MBEヘテロエピタキシャル成長 —シミュレーションから特晶成長— 北畠 真、内田 正雄 (松下中研) 白金上のダイヤモンド・ヘテロエピタキシー 橘 武史、横田 嘉宏、小橋 宏司 (神戸製鋼)、新谷 義廣 (徳島大工) リソドープダイヤモンドの合成と評価 加茂 睦和 (無機材研) 昇華法によるSiC単結晶の成長端面観察と結晶評価 杉山 尚宏、岡本 篤人、奥村 公平、谷 俊彦、神谷 信雄 (豊田中研) 平面ディスプレイ用電子放出素子としてのCVDダイヤモンド 伊藤 利道、八田 章光 (阪大工)、平木 昭夫 (高知工大) SiCパワーデバイスの現状 上野 勝典 (富士電機総研) ダイヤモンドFETと回路技術の現状 川原田 洋 (早大理工)
