第4回講習会(1976) 開催日時： 1976年12月22日 開催テーマ：III-V族半導体の結晶成長、評価および素子技術 コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 1976年12月22日 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 イントロダクトリートーク 飯塚 隆 (超LSl共同研) 不純物添加によるInPおよびGaAsの低転位結晶成長 関 保夫、渡辺 久夫、松井 純爾 (日電中研) III-V単結晶の大型低転位密度化の問題点 赤井 慎一 (住友電工) 光散乱法によるGaP結晶の評価 田島 道夫 (電子総研) III-V結晶のX線マイクロトポグラフ 岸野 正剛、中島 尚男 (日立中研) 200KV X線トポグラフ 芦田 佐吉 、柏田 泰利(日立中研)、小林 勇二（理学） GaP発光素子の特性評価 笠見 昭信、別府 達郎 (東芝総研) 気相成長法によるGaP発光ダイオード 碓井 彰、川野 英夫、森 克己 (日電中研)
