第19回講習会(1992) 開催日時： 1992年11月12日 - 1992年11月13日 開催テーマ：21世紀をめざすSiアトムテクノロジー —ウェーハ、プロセス、そしてデバイス— コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 1992年11月12日 - 1992年11月13日 会場 学習院大学創立百周年記念会館3F小講堂 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 ntroductory talk—日本におけるIC産業の歴史と今後の展開 長船 廣衛 (大阪チタニウム製造) 大直径シリコンウェーハの製作 阿部 孝夫 (信越半導体) 結晶成長のグローバル解析の基礎 今石 宣之 (九大機能研) 点欠陥の評価—ポジトロンの使い方— 谷川 庄一郎 (筑波大物質工)、上殿 明良 (東大工) Siデバイスとメタライゼ一ション 柏木 正弘 (東芝ULSI研) ナノスケールSiの物性 嶋田 寿一、中川 清和、西田 彰男 (日立中研) ウェーハ表面のクリーン化技術 —シリコン表面における化学反応素過程— 西嶋 光昭 (京大理) CVDシリコンエピタキシー技術 室田 淳一、小野 昭ー (東北大通研) Si中の拡散現象 松本 智 (慶大理工) Siデバイスの不良解析 北野 友久 (NEC ULSI開研)
