減圧MOCVDによる高品質ZnSeの成長

吉川 明彦、田中 敬二、鬼山 英幸、山賀 重來、葛西 晴雄 (千葉大工)

四重極質量分析計によるGaAs減圧OMVPEのガス分析

堀口 青史、木村 康三、高岸 成典、香門 浩一、三原 稔、石井 恂 (光共研)

減圧OMVPEによるGaAs, AlGaAsの選択成長

香門 浩一、高岸 成典、木村 康三、嶋津 充、三原 稔、石井 恂 (光共研)

MOCVD GaAsのノンストイキオメトリーとDeep Levelの関係

藤崎 芳久、高野 幸男、石場 努 (日立中研)、坂口 春典、小野 祐ー (日立電線)

薄膜成長技術としてのMOCVD

高構 清 (東工大工)

MOCVD:ヘテロ成長と極薄膜成長

森 芳文 (ソニー中研)

エチル系MOCVD AlGaAs/GaAs成長および2DEGFET

高梨 良文、小林 直樹 (武蔵野通研)

LP-MOCVD InGaP/GaAsのPL特性

大場 康夫、山本 基幸、岩本 正巳、中西 隆敏(東芝総研)

MOCVD InGaAsP/InP MQW構造の作製

森崎元司、吉岡芳明※、小倉基次(松下中研・松下テクノリサーチ※)

GaInAs/InPヘテロ構造のMOCVD成長

福井 孝志、斎藤 久夫、山田 省二 (武蔵野通研)