ワイドギャップII-VI族化合物の現状と将来 (招待講演)

柊元 宏 (東工大)

蒸気圧制御温度差法によるZnSeの結晶成長とpn接合 (招待講演)

奥野 保男 (半研)、須藤 建 (東北大)

マイクロ波および遠赤外レーザー磁気光共鳴吸収からみたZnSeの結晶評価

榊原 清彦、大山 忠司、大塚 穎三 (阪大)、一色 実、増本 剛 (東北大)

ZnSeの減圧気相成長と評価

松本 俊、吉田 茂樹、小林 宣夫、飯島 髙行、石田哲朗 (山梨大)

減圧MOCVD法によるZnSの欠陥評価とヨウ素添加効果

川上 養一、田口 常正、平木 昭夫 (阪大)

水素ラジカルCVD法によるZnSe薄膜の作製と評価

小田 俊理、佐藤 恒夫、清水 勇 (東工大)、川瀬 龍一、小門 宏 (総理工)

MOCVD法によるGaAs上ZnSe初期成長過程と界面特性

末宗 幾夫、大観 光徳、神田 隆司、行武 和俊、山西 正道 (広島大)

DEZ供給律速条件下での高品質ZnSeのMOVPE成長

柴田 典義、前佛 栄 (NTT)

ZnSe, ZnS Se混晶のMOCVD成長

別府 達郎 (東芝)

MBE法によるZnSeのエピタキシャル成長とドーピング

三露 常男、大川 和宏、山崎 攻 (松下)

格子整合混晶ZnSxSe1-xのMBE成長

松村 信男、石川 克也、更家 淳司、淀川 寛(京都工繊大)

ZnSe/GaAs界面の歪

八百 隆文、岡田 安正 (電総研)、松井 進、石田 興太郎 (東理大)

MBE，MOMBE法によるII-VI族化合物半導体歪超格子

安藤 秀泰、大家 彰、小林 正和、木村 龍平、小長井 誠、高橋 清 (東工大)