GaAs on Siの初期成長過程 (招待講演)

川辺 光央、高杉 英利 (筑波大物質工)、上田 登志雄、横山 新、板東 義雄 (無機材研)

Si(100)表面の熱処理による構造変化

井上 直久 (NTT厚木研)、谷城 康眞、八木 克道 (東工大理)

GaAs on SiのRBSによる評価

大山秀明 (東理大理)、成沢 忠、中島 尚男 (光共研)

GaAs/GaP，GaP/GaAsヘテロ成長初期過程

野村 卓志、宮尾 正大、石川 賢司、鈴木 佳子、萩野 實 (静大電子研)

MBE法によるSi(100)上へのGeヘテロエピタキシャル成長

川上 和人、倉門 雅彦、梶山 健二 (新日鉄第1技研)

MBE成長Si1-xGex/Siの臨界膜厚と格子緩和

福田 幸夫、小濱 剛孝、関 昌浩 (NTT通研)

SOSヘテロエピタキシャル成長における界面制御

石田 誠、中村 哲郎 (豊橋技科大)、安田 幸夫 (名大工)

MOVPE法によるα-Al2O3上へのGa1-xAlxN（O≦X≦1)の成長と物性

天野 浩、小出 康夫、服部 克己、平松 和政、澤木 宜彦、赤崎 勇 (名大工)、真部 勝英 (豊田合成)

(Ca,Sr)F2(100)膜上に成長したGaAs中のアンチフェーズ欠陥に対する4回対称微小ファセットによる発生モデル

筒井 一生、浅野 種正、石原 宏、古川 静二郎 (東工大総理工)

ガスソースMBE法によるZnSの成長とその結晶評価

金田 重男、鹿野 文久、下口 剛史、高橋 浩信(長岡技科大)、横山 明聡、佐藤 修治 (日本精機)

歪超格子層を導入したZnSe/ZnS MOVPEヘテロエピタキシー

横川 俊哉、小倉 墓次、梶原 孝生 (松下電産)

エピタキシャル膜中の歪測定

伊藤 進夫、岡本 啓一 (阪府大工)

エピタキシャルCdTb層のInSb基板面方位依存性定

西村 良樹、井村 鍵、大坂 之雄 (広大工)

Cr発光線によるZnSxSe1-x/GaAsヘテロ界面の評価

戸波 与之、西野 種夫、浜川 圭弘 (阪大基礎工)、藤田 茂夫 (京大工)