(Si)m/(Ge)n歪み超格子の電子構造計算

池田 稔 (富士通厚木研)、寺倉 清之 (東大物性研)、小口 多美夫 (金属材料技研)

Ge/Si歪超格子のER、PRによる評価

浅見 久美子、権田 俊一 (阪大産研)、坂本 統徳、坂本 邦博、三木 一司 (電総研)

MBEによるGe/Si(001)ヘテロエピタキシ

三木 一司、坂本 統徳、坂本 邦博、奥村 元、吉田 貞史 (電総研)

シリコン基板上のへテロエピタクシー：Ge/Si(001)&(111)　(招待講演）

高柳 邦夫 (東工大総理工)

Si(100)−2×1面上へのGeのMBE成長

飛田 雄弘、松原 俊夫、尾畑 洋、丹保 豊和、 上羽 弘、龍山 智栄 (富山大工)

RHEED, AESラマン分光によるGe/Si構造の熱的安定性の評価

中村 友二、清水 紀嘉 (富士通厚木研)

SiGeのへテロエピタキシとミスフイット転位の形成機構

福田 幸夫、小濱 剛孝、大町 督郎 (NTT電子応用研)

MBE法で形成したSi1-xGex/Siの歪みと基板面方位依存性

江藤 浩幸、村上 幸一、石坂 彰利、嶋田 寿一、 宮尾 正信 (日立中研)

yo-yo溶質供給法による厚いGeSi混晶層の成長

助川 徳三、伊澤 誠、山下 和昭、 勝野 広宣、木村 雅和、田中 昭 (静大電子研)

SiMBEによるGexSi1-xHBTの試作

辰巳 徹、平山 博之、柏崎 尚昭 (日電基礎研)

p-Si1-xGexMBE膜/Sisub界面のキャリア濃度分布とその基板処理依存性

金谷 宏行、重川 秀実、長谷川 文夫 (筑波大物質工学系)山香 英三 (筑波技術短大)

SiCの低温成長

杉井 寿博、袋田 淳史、伊藤 隆司 (富士通研)

Si(111)上のGaAs薄膜成長

菊田 邦子、吉川 公麿 (日本電気マイクロエレ研)