高分解能TEMによるSi-SiO2界面の観察

飯島 澄男 (NEC)

HRTEM像と光回折像から推定されるSiO2/(001)Si界面の凹凸の大きさ

赤津 浩之、角 康之、大泊 巌 (早大)

急速熱処理により形成した極薄SiO2膜のSiO2/Si(100)界面構造

福田 永 (沖電気)

Siウェハ表面の凹凸によるMOS酸化膜の信頼性の低下

中西 俊郎、岸井 貞浩、大沢 昭 (富士通)

招待講演:超LSIの展望と期待

垂井 康夫 (農工大)

レーザラマン分光法による多結晶シリコン薄膜の評価

河田 将大、河東田 隆 (東大)、灘原 壮一、塩澤 順一、渡辺 正晴 (東芝)

酸化膜耐圧の優れたCZシリコン単結晶

日月 應治、左近 正 (新日鐵)、金子 高之 (ニッテツ電子)

フッ酸処理Si表面の自然酸化膜抑制と低温エピ成長の結晶性

井上 洋典、宮内 昭浩、秋山 幹夫、鈴木 誉也(日立)

CVD法によるSi上へのGeのエピタキシャル成長過程

室田 淳一、小林 信一、加藤 学、御小柴 宣夫、小野 昭一 (東北大)

低速電子透過分光によるAl/Si(l11)界面の評価

長谷川 繁彦、松田 好正、李 成泰、中島 尚男(阪大)

a-Si/Si(111)界面に局在するB√3構造の電気伝導

辰巳 徹、新野 多恵子、平山 博之、広沢 一郎、水木 純一郎 (NEC)