光インターコネクションを有するLSIとマイクロシステムインテグレーション

小柳 光正 (東北大工)

GaAs/Si:初期過程における2D-3D状態(Si表面との関連、表面張力からの考察)

太刀川 正美、森 英史 (NTT光エレ研)

Si(001)面上のGeのStranski-Krastanov成長におけるアイランド化機構

酒井 朗、辰巳 徹(NECマイクロエレクトロニクス研)

Si基板上GaAs初期状態に及ぼす基板面方位の効果

淀 徳男、田村 誠男、斉藤 徹、ジョイス・パ一マー(光技研)

GaAs-on-Siにおける歪短周期超格子の挿入による貫通転位の発生の抑制

高大 康文、米津 宏雄、林田 圭司、左文字 克哉、大島 直樹、朴 康司 (豊橋技科大)

不整合転位密度の制御によるGaAs/Siの応力低減

浅井 孝祐、片浜 久、柴 育成 (住友金属工業)

InP/Si直接接合の熱処理温度依存性

和田 浩、上条 健 (RWCP・沖電気光沖研)

Si基板上化合物半導体を用いた光・電子デバイス

梅野 正義、神保 孝志、江川 孝志 (名工大)

Si上InGaAs系MSMフォトダイオード

佐々木 徹、太刀川 正美、須郷 満、森 英史(NTT光エレ研)、榎木 孝知 (LSI研)

HEMT on Si技術の現状

大堀 達也、未廣 晴彦、恵下 隆、河西 和美、米野 純次 (富士通研)

HEMT/SiのVth均一性と高周波特性

藍郷 崇、森谷 明弘 (新日鉄エレ研)