第11回シンポジウム(1995.7) 開催日時： 1995年07月03日 開催テーマ：酸化物薄膜の結晶工学 —強誘電体メモリ、光ICなど新しいデバイスのためのキーマテリアルとして— コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です 開催概要 開催日時 1995年07月03日 会場 学習院大学創立百周年記念会館小講堂 主催 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会 強誘電体薄膜とエレクトロニクス応用 川合 知二 (阪大産研) 高周波マグネトロンスパッタリング装置による高配向MgO薄膜の成膜 三崎 幸典、三河 通男 (詫間電波高専)，濱崎 勝義 (長岡技科大) レーザアブレ一ション法による半導体基板上でのMgOバッファ層を介した高配向PZT薄膜の成長 米津 保人 (石川県工業試験場)， 増田 淳、山中 康弘、田添 光俊、森本 章治、清水 立生 (金沢大工) レーザーMBE法によるぺロブスカイト酸化物薄膜の2次元エピタキシャル成長 鯉沼 秀臣、吉本 護、川崎 雅司(東工大工材研) パルスレーザ蒸着法による導電性べロブスカイト酸化物薄膜の作製 平谷 正彦、今川 一重、高木 一正 (日立中研) 強誘電体材料とメモリデバイス応用 國尾 武光 (日電マイクロエレ研) DRAM用SrTiO3薄膜のCVD 清利 正弘、今井 馨太郎、江口 和弘(東芝R&DセンターULSI研) 酸化物チャネルを用いた電界効果型トランジスタ 吉田 晃、波頭 経裕、高内 英規、藤巻 則夫、横山 直樹 (富士通)，田村 泰孝、後藤 公太郎、吉田 親子 (富士通研) 全ぺロブスカイト強誘電/半導体構造によるメモリー性FET等 渡部 行男 (三菱化学横浜総研) SHG用ニオブ酸リチウム周期分極反転構造の作製の検討 山田 正裕、名田 直司、小川 剛、山口 恭司、斉藤 真樹 (ソニー中研) 電気光学材料のICテスティングへの応用 清利 正弘、今井 馨太郎、江口 和弘(東芝R&DセンターULSI研) 高速イオン散乱法による酸化物薄膜の評価 綿森 道夫、尾浦 憲治郎 (阪大工) 歪イメージングによるPZT薄膜の観察 高田啓二 (日立基礎研)
