開催概要

開催日時

2019年12月18日

会場

工学院大学 新宿キャンパス アーバンテックホール

主催

公益社団法人応用物理学会　結晶工学分科会

• 界面顕微光応答法による電極界面の欠陥、劣化過程の2 次元解析

  塩島 謙次 (福井大学)

• 光熱偏向分光法によるギャップ中準位の評価

  角谷 正友 (物材機構）

• 光音響・発光同時計測法による内部量子効率測定

  山口 敦史 (金沢工業大学)

• 4H-SiC およびβ-Ga2O3の結晶欠陥

  山口 博隆 (産総研)

• β-Ga2O3の透過電子顕微鏡を中心とした評価

  上田 修 (明治大学)

• ICP-RIEによるGaNトレンチ構造の作製とトレンチ側壁ダメージの評価

  山田 真嗣 (名古屋大学）

• GaN-MOSFET プロセスにおけるNH3雰囲気熱エッチングによるリセス形成の低損傷化

  彦坂 年輝 (東芝）