開催テーマ：低温成長で広がる半導体混晶の世界－なぜ無理やり原子が入るか－

2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会でのシンポジウム

　液相成長（LPE)では成長不可能な非混和領域の組成の混晶が、MBEやMOCVDでは均一成長可能になることは、1980年代からよく知られていまいした。一方、1990年代に入ると、３００℃以下の低い成長温度であっても、結晶学的にはかなり高品質のSiやGaAsがMBE成長できるようになりました。さらに最近では、このような低温成長を利用し、GeSn、MnGaAs、GaAsBi、TlGaAsといった混晶の世界が拡がりつつあります。また、非混和領域組成のInGaNも成長温度を低くすることで、相分離や液滴の発生なしに成長できることがわかってきました。これもある意味では低温成長の範疇にはいるでしょう。このシンポジウムでは、従来別々のセッションで発表されてきたこれらの混晶の低温成長について、なぜ固溶限界を超えた濃度の高い原子がはいるか、という結晶成長の観点から議論し、共通的理解を得ることにチャレンジしたいと思います。