2004秋 (第65回)
開催テーマ：Si結晶中の不純物拡散の制御とその物理-次世代LSIプロセス技術の確立へ向けて-
2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会でのシンポジウム
最先端(あるいは次世代)LSIのプロセス・デバイスの開発では、ナノスケールでの不純物拡散制御技術の確立が重要である。今回特に、次世代LSIに必須の重金属ゲッタリングと極浅接合形成 に主題を置き、不純物拡散制御技術の現状と課題、並びに新しい拡散制御技術を紹介頂き、開発の最先端で直面する「Si結晶中の不純物拡散」に関するtechnologyとphysicsを議論する。
開催概要
- 開催日時
- 2004年09月02日
- 会場
- 東北学院大学
- 主催
- 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
| 1 | 13:00～13:10 | イントロダクトリー･トーク | 小野 春彦 (JFCC) |
| 2 | 13:10～13:40 | 次世代LSIにおける重金属汚染制御とデバイス特性 | 朴澤 一幸 (日立中研) |
| 3 | 13:40～14:10 | 低温プロセスに適した重金属ゲッタリング技術 | 石坂 和紀，太田 泰光，二木 登史郎，碇 敦 (シルトロニック) |
| 4 | 14:10～14:40 | シリコン結晶中の不純物原子の拡散機構 | 吉田 博，道北 俊行，白井 光雲 (阪大産研) |
| 5 | 14:40～15:10 | 次世代LOGIC用トランジスタのための浅接合形成技術 | 須黒 恭一 (東芝プロセス技術推進セ) |
| 15:10～15:25 | 休憩 |
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| 6 | 15:25～15:55 | イオン注入における不純物拡散現象のモデリング | 鈴木 邦広 (富士通研) |
| 7 | 15:55～16:25 | 電子線ホログラフィによる極微量不純物分布の観察 | 福永 啓一 (JFCC) |
| 8 | 16:25～16:55 | 不純物の原子スケール制御とシングルイオン注入 | 大泊 巌，品田 賢宏 (早大理工) |
| 9 | 16:55～17:25 | 共鳴光励起を利用したナノスケール新不純物拡散技術 | 金田 寛，棚橋克人，高橋英樹 (富士通研) |