2008秋 (第69回)
開催テーマ：シリサイド系材料が開く新しい応用技術-結晶工学から斬るシリサイド系材料の可能性-
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会でのシンポジウム
シリサイド系材料は、その元素種、構造、組成等の違いによって、半導体から金属に跨る多種多様な物性を発現する。本シンポジウムは結晶工学分科会とシリサイド系半導体と関連物質研究会の共同企画であり、近年注目されているシリサイド系半導体・金属に焦点をあて、第一線の研究者による講演をもとに、その結晶成長、構造、物性、プロセス、デバイス応用等に関する討議を行う場とする。
開催概要
- 開催日時
- 2008年09月04日
- 会場
- 中部大学
- 主催
- 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
| 1 | 13:00～13:10 | イントロダクトリートーク | 小野 春彦 (神奈川県産技セ) |
| 2 | 13:10～13:40 | 熱反応堆積法によるシリサイド系半導体材料の成長 | 立岡 浩一 (静大工) |
| 3 | 13:40～14:10 | シリサイド半導体のバンドギャップエンジニアリング -アルカリ土類金属シリサイドを例に- | 末益 崇、塚田 大、松本 雄太 (筑波大電子物理) |
| 4 | 14:10～14:40 | 鉄シリサイドのフォトニックデバイスへの展開 | 前田 佳均 (京大エネルギー科学) |
| 5 | 14:40～15:10 | 直接遷移型半導体シリサイド及び強磁性シリサイドの高品位成長 -シリサイド系光・磁気融合型LSIを目指して- | 佐道 泰造1、浜屋 宏平1、前田 佳均2、宮尾 正信1（九大システム情報1，京大エネルギー科学2） |
| 15:10～15:30 | 休 憩 |
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| 6 | 15:30～16:00 | Si基板上β-FeSi2,Fe3Siナノドットの自己形成とその光学及び磁気特性 | 中村 芳明、市川 昌和 (東大工) |
| 7 | 16:00～16:30 | Mg2SiおよびMg2Si1-xGex系の排熱発電デバイス応用と環境低負荷製造プロセス | 飯田 努1,赤坂 昌保1,浜田 典明2,根本 崇3,水戸 洋彦4,櫻木 史郎5,高梨 良文1(東理大基礎工1，東理大理工2，日本サーモスタット3，昭和KDE4，ユニオンマテリアル5) |
| 8 | 16:30～17:00 | 金属シリサイド・ジャーマナイド／半導体コンタクトの界面構造と電子物性制御 | 中塚 理1、酒井 朗2、財満 鎭明1 (名大工1，阪大基礎工2) |
| 9 | 17:00～17:30 | 先端トランジスタ応用を目指した不純物偏析ショットキー接合技術 | 木下 敦寛 (東芝研開セ) |
| 10 | 17:30～17:40 | おわりに | 財部 健一 (岡山理科大) |
結晶工学分科会・シリサイド系半導体と関連物質研究会共同企画