2011秋 (第72回)
開催テーマ：「Ⅲ-Ⅴ半導体MOVPE・HVPEの反応モデリングと装置設計」
2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会 シンポジウム
開催概要
- 開催日時
- 2011年08月29日
- 会場
- 山形大学
- 主催
- 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
| 1 | 13:00～13:15 | イントロダクトリートーク ～いま、あらためて反応器モデルの基礎を～ |
杉山 正和 (東大院工)、江川 満（富士通研） |
| 2 | 13:15～13:50 | 化合物半導体の原子レベル表面反応機構 | 伊藤 智徳（三重大院工） |
| 3 | 13:50～14:25 | GaAs系MOCVDにおける気相・表面反応機構解析とシミュレーション | 霜垣 幸浩（東大工） |
| 4 | 14:25～15:00 | 窒化物半導体MOCVDの反応モデルとシミュレーション | 大川 和宏 （東京理科大理） |
| 15:00～15:15 | 休 憩 |
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| 5 | 15:15～15:50 | 窒化物半導体MOCVDの高速化・大面積化 | 松本 功（大陽日酸EMC) |
| 6 | 15:50～16:25 | HVPEの熱力学的反応機構解析とリアクタ設計 | 纐纈 明伯、熊谷 義直、村上 尚（農工大・工学研究院） |
| 7 | 16:25～17:00 | HVPEによるGaNの超高速成長 | 吉田 丈洋、大島 祐一、渡辺 和俊、土屋 忠厳、三島 友義（日立電線） |