2016春 (第63回)
開催テーマ:「発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来」
第63回応用物理学会春季学術講演会 結晶工学分科会・講演会中分類共催シンポジウム
開催概要
- 開催日時
- 2016年03月19日
- 会場
- 東京工業大学
- 主催
- 公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
1 | 13:30~13:45 | イントロダクトリートーク ~発光イメージングから見えるもの~ |
沓掛 健太朗 (東北大) |
2 | 13:45~14:15 | 【招待】太陽電池の絶対エレクトロルミネッセンス画像計測法と応用 | 秋山 英文 (東大) |
3 | 14:15~14:30 | PLイメージングを用いた強制汚染およびゲッタリングによる 多結晶 Si中の鉄およびニッケルの影響評価 |
鈴木 涼太 (明治大) |
4 | 14:30~15:00 | 【招待】フォトルミネッセンス・マッピング法による CIGS太陽電池の評価 | 白方 祥 (愛媛大) |
5 | 15:00~15:15 | EL測定を用いた GaAs太陽電池の構造評価と効率向上 | 井上智之 (東大) |
15:15~15:30 | 休 憩 |
||
6 | 15:30~16:00 | 【招待】PLイメージングによる 4H-SiC結晶欠陥の評価 | 土田 秀一 (電中研) |
7 | 16:00~16:15 | 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察 | 梅田 享英 (筑波大) |
8 | 16:15~16:45 | 【招待】時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価 | 秩父 重英 (東北大) |
9 | 16:45~17:00 | InGaN薄膜の分光CLマッピング像の温度依存性評価(2) | 倉井 聡 (山口大) |
10 | 17:00~17:15 | 近接場過渡レンズ法による InGaN 単一量子井戸における キャリアダイナミクスの評価 | 塚本 真大 (京大) |
11 | 17:15~17:45 | 【招待】Nanoprobe-CL法による半導体ナノ結晶の顕微物性評価 | 渡辺 健太郎 (阪大) |