2016春 (第63回)

開催日時: 2016年03月19日

開催テーマ:「発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来」

第63回応用物理学会春季学術講演会 結晶工学分科会・講演会中分類共催シンポジウム

開催概要

開催日時
2016年03月19日
会場
東京工業大学
主催
公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会
1 13:30~13:45 イントロダクトリートーク
~発光イメージングから見えるもの~
沓掛 健太朗
(東北大)
2 13:45~14:15 【招待】太陽電池の絶対エレクトロルミネッセンス画像計測法と応用 秋山 英文
(東大)
3 14:15~14:30 PLイメージングを用いた強制汚染およびゲッタリングによる
多結晶 Si中の鉄およびニッケルの影響評価
鈴木 涼太
(明治大)
4 14:30~15:00 【招待】フォトルミネッセンス・マッピング法による CIGS太陽電池の評価 白方 祥
(愛媛大)
5 15:00~15:15 EL測定を用いた GaAs太陽電池の構造評価と効率向上 井上智之
(東大)
15:15~15:30 休 憩
6 15:30~16:00 【招待】PLイメージングによる 4H-SiC結晶欠陥の評価 土田 秀一
(電中研)
7 16:00~16:15 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察 梅田 享英
(筑波大)
8 16:15~16:45 【招待】時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価 秩父 重英
(東北大)
9 16:45~17:00 InGaN薄膜の分光CLマッピング像の温度依存性評価(2) 倉井 聡
(山口大)
10 17:00~17:15 近接場過渡レンズ法による InGaN 単一量子井戸における キャリアダイナミクスの評価 塚本 真大
(京大)
11 17:15~17:45 【招待】Nanoprobe-CL法による半導体ナノ結晶の顕微物性評価 渡辺 健太郎
(阪大)