応用物理学会春秋学術講演会2009 シンポジウム
2009年(平成21年)秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会
薄膜・表面物理分科会企画
概要
日時
「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」
2009年9月8日 13:15-17:15
「金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-」
2009年9月10日 13:45-18:15
場所
富山大学（富山県富山市五福3190番地）
プログラム（敬称略）
省エネルギー社会のための半導体デバイス技術-2009年9月8日 13:15-17:15
| 8p-L- / 0 | |||
|---|---|---|---|
| 1 | 13:15-13:25 | 薄膜・表面物理分科会企画「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」 | 河原敏男(中部大超伝導) 渡邉孝信(早大理工) |
| 2 | 13:25-13:50 | 超低消費電力シリコンデバイス技術の重要性 | 岩井 洋(東工大フロンティア) |
| 3 | 13:50-14:15 | ナノスケールデバイスの熱問題: 極微細MOSFETにおける発熱の微視的過程と電気伝導への影響 | 鎌倉良成(阪大院工) 図師知文(早大理工) 渡邉孝信(早大理工) 森 伸也(阪大院工) 谷口研二(阪大院工) |
| 4 | 14:15-14:40 | IGBTの低損失化と省エネルギー | 森 睦宏(日立日立研) |
| 5 | 14:40-15:05 | SiCデバイスとエピタキシー技術 | 児島一聡((独)産総研) |
| 15:05-15:25 | 休憩 | ||
| 6 | 15:25-15:50 | 温度無依存バンドギャップ半導体TlInGaAsNの成長と半導体レーザへの応用 | 長谷川繁彦，朝日 一 (阪大産研) |
| 7 | 15:50-16:15 | 電子デバイス冷却と熱電効果ー自己冷却素子を中心にして | 山口作太郎(中部大超伝導) 中津川博(横浜国大工) 岡本庸一(防衛大工) |
| 8 | 16:15-16:40 | アモルファス・微結晶シリコン太陽電池 | 増田 淳(産総研) |
| 9 | 16:40-17:05 | 化合物半導体太陽電池 | 山口真史(豊田工大) |
| 10 | 17:05-17:15 | クロージングトーク | 渡邉孝信(早大理工) |
金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-2009年9月10日 13:45-18:15
| 10p-G- / 0 | |||
|---|---|---|---|
| 1 | 13:45-14:00 | 金属酸化物系材料の新展開 | 青野正和(物材機構) |
| 2 | 14:00-14:30 | イオン移動を利用した不定比性キャリア変調とスイッチング現象 | 山口 周，土屋敬志，三好正悟，佐々木直敬，尾山由紀子 (東大工) |
| 3 | 14:30-15:00 | 界面制御による酸化物量子物性の発現 | 川崎雅司(東北大WPI材料機構，東北大金研，CREST-JST) |
| 4 | 15:00-15:30 | 鉄系新超伝導体の進展 | 細野秀雄(東工大フロンティア研，応セラ研) |
| 15:30-15:45 | 休憩 | ||
| 5 | 15:45-16:15 | 酸化物中における電子・イオンの微視的挙動：第一原理計算によるアプローチ | 渡邉 聡，谷 廷坤，笠松秀輔，多田朋史(東大工) |
| 6 | 16:15-16:45 | 酸化還元型 電気化学抵抗変化メモリ素子ReRAM ～もう 原理は”不明”ではない！～ | 秋永広幸，島 久 (産総研ナノ電子デバイス) |
| 7 | 16:45-17:10 | 電気化学抵抗変化素子（イオン注入型） | 長谷川剛，寺部一弥，鶴岡 徹，南風盛将光，知京豊裕，青野正和 (物材機構) |
| 8 | 17:10-17:35 | 光機能センサー素子への応用 | 田中啓文(阪大理) 日野貴美(阪大理) 長谷川剛(物材機構MANA) 伊藤弥生美(物材機構MANA) 青野正和(物材機構MANA) 小川琢治(阪大理) |
| 9 | 17:35-18:05 | 原子スイッチのCu配線中への形成 | 阪本利司(ＮＥＣ) 多田宗弘(ＮＥＣ) 伴野直樹(ＮＥＣ) 辻 幸秀(ＮＥＣ) 斉藤幸重(ＮＥＣ) 矢部裕子(ＮＥＣ) 波田博光(ＮＥＣ) 井口憲幸(ＮＥＣ) 青野正和(ＮＩＭＳ) |
| 10 | 18:05-18:15 | Closing ：金属酸化物系材料の新展開 | 知京豊裕(物材研) |
更新：2009/1/1