No.127 (2006年9月)
ナノエレクトロニクスに向けた技術展開
巻頭言
重川秀実（筑波大学）
研究
ナノエレクトロニクスに向けた技術展開 ーその場・動作状態でのデバイス計測評価技術を中心にして
VLSI技術の進展と動作状態解析の重要性
望月康則（NECシステムデバイス研究所）
動作中FETのキャリア分布計測
山田啓文、小林圭（京都大学）
電子線ホログラフィーによるデバイスの電界分布計測
平山司（ファインセラミックスセンター）
談話室
研究室紹介
東京理科大学 本間研究室