第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会

「第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」(EDIT26)のご案内

開催案内：EDIT26

主催：　応用物理学会・薄膜表面物理分科会

共催：　シリコンテクノロジー分科会

協賛（予定）：　日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面科学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，日本真空協会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会

日時

2021 年1 月22 日(金)～23 日(土)

場所

Webexによるオンライン開催(Live配信)

概要

IoTやセンサネットワークの基盤となる半導体電子デバイスにおいて，その開拓と変革が急速に進んでいます。従来のロジックLSIやメモリにおける新構造，新材料の導入はもとより，SiCやGaNなどのパワーデバイスの開発が進展し，各種センサ，MEMS/NEMS，電源デバイスの高性能化・集積化を進めるべく新しい展開が始まっています。多様な電子デバイスの性能向上，集積化と実用化に向けて，その鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解と制御がデバイス研究開発に不可欠となっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集します。皆様のふるってのご参加をお待ちしております。

招待講演者（敬称略）

Ⅰ 特別基調講演（スペシャルレクチャー）
・鳥海明(元・東京大学) 「強誘電性の基礎とHfO2強誘電性の特徴(仮)」
Ⅱ 基調講演
・内山邦男(産総研) 「AIチップ設計拠点―日本のAIチップに向けた取り組みと世界の動きー」
・津田建二(国際技術ジャーナリスト) 「日本半導体の復活に世界の知恵を活かそう」
Ⅲ 招待講演
・森貴洋(産総研) 「シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発」
・中島寛(九大) 「DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析」
・若林整(東工大) 「TBA」
・高宮真(東大) 「ICとAIを用いたパワーデバイスの新たな価値創造」
・大原隆裕(ルネサス) 「強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中のAlナノクラスターおよび単層Si層がメモリ特性に与える効果」
・奥野潤(ソニーセミコンダクタソリューションズ) 「TBA」
Ⅳ 海外招待講演
・Hiroaki Arimura(imec)「Recent progress on Ge-based high mobility channel Logic technologies」
・あと１名程度予定
Ⅴ 企画セッション
“緊急開催！Web討論～日本の半導体産業のグローバル化と今後～”
・グローバル？オープンorクローズ市場
・コロナ禍が落とした影とこれから
・国内外４名程度のパネラーとのパネルディスカッションを企画

定員

200名

参加費(消費税込)

EDIT26オンライン開催特別価格（PDFダウンロード資料代込み、冊子印刷無し）

  • 薄膜・表面物理分科会 及び Siテクノロジー分科会会員 12,000円（税込）
  • 応用物理学会・協賛学協会員 15,000円（税込）
  • 一般 20,000円（税込）
  • 学生およびシニア(2020年12月31日時点で満65歳以上) 4,000円（税込）

※薄膜及びSiテクノロジー分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします。

参加登録締切・決済期限

  • 早期登録締切・決済期限：2020年12月25日（金）【登壇予定者は厳守】
  • 最終登録締切・決済期限：2021年1月20日（水）

    • 研究会ウェブサイトにてお申込下さい。

問合わせ先

岡本 大(筑波大） E mail: okamoto.dai.gb@u.tsukuba.ac.jp
参加担当：応用物理学会事務局 五十嵐 周 E mail: registration@edit-ws.jp
ホームページ： http://www.edit-ws.jp/
*予稿集への広告掲載を募集します（5 万円/A4 白黒1 ページ）。詳細は上記までお問い合わせ下さい。

更新：2020/11/25