第51回 応用物理学関係連合講演会分科会企画シンポジウム
High-ｋゲート絶縁膜 － 現状と課題 －
日時
平成16年3月28日 13:00-17:30
場所
東京工科大学
プログラム（敬称略）
| 1 | イントロダクトリートーク | 鳥海 明(東大院工) |
|---|---|---|
| 2 | インテグレーションの課題 | 岩本敏幸、小倉 卓、寺井真之、渡辺啓仁、渡部平司、五十嵐信行、宮村 真、辰巳 徹、西藤哲史、森岡あゆ香、渡部宏治、斎藤幸重、矢部裕子、五十嵐多恵子、増崎幸治、望月康則、最上 徹 (NECシリコンシステム研究所) |
| 3 | 高誘電率絶縁膜／Si界面の基礎物性 | 宮崎誠一(広島大院先端研) |
| 4 | High-ｋ絶縁膜HｆO２中の欠陥の原子構造と電子構造 － 第一原理計算による検討 － |
白石賢二(筑波大物理、物材機構) 山田啓作(早大ナノテク研、物材機構) 斎藤峯雄(物材機構) 大野隆央(物材機構) 川原孝昭(SELETE) 鳥居和功(SELETE) 三橋理一郎(SELETE) 武藤彰良(SELETE) 堀内 淳(SELETE) 伊藤浩之(SELETE) 北島 洋(SELETE) 有門経敏(SELETE) |
| 5 | HfO2系材料の不均質な結晶化 － 古典的分子動力学シミュレーション － |
小坂裕子、山崎隆浩、金田千穂子 (富士通研究所) |
| 6 | High-ｋ材料と界面反応 － 熱的安定はどこまで維持できるのか － |
村岡浩一(東芝LSI基盤技術ラボ) |
| 7 | バッチ式CVD装置を用いたHfSi0NH成膜技術 | 青山知憲、鳥居和功、神山 聡、田村泰之、三橋理一郎、前田 毅、北島 洋、有門経敏 (半導体先端テクノロジーズ) |
| 8 | LL-D&A法を用いたHfAlOｘ(N)ゲートスタック技術 | 大野守史(半導体MIRAI-ASET) 堀川 剛(半導体MIRAI-産総研ASRC) 生田目俊秀(半導体MIRAI-ASET) 鳥海 明(半導体MIRAI-産総研ASRC、東大工) |
| 9 | 希土類系ゲート絶縁膜 | 岩井 洋(東工大フロンティア研) |
更新：2004/1/1