Controlled growth and characterization 研究会
Controlled growth and characterization 研究会
日時
2024年3月29日(金)13:40〜3月30日(土)12:20
会場
名古屋大学 ES総合館 1F ES会議室
プログラム
3 月 29 日
13：40-14：00 受付
14：00-14：05 開会
14：05-14：40 SiC 表面反応の考察に基づく MOS 界面特性の制御
喜多浩之 （東京大学 新領域創成科学研究科物質系専攻）
14：40-15：15 表面科学的手法によるエピタキシャル二次元材料の構造・電子状態評価
高村(山田) 由起子 （北陸先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科）
15：15-15：35 休憩
15：35-16：10 成長核制御による特殊薄膜の成長とその熱電特性
中村芳明 （大阪大学 大学院基礎工学研究科）
16：10-16：45 脂質二分子膜と基板表面との相互作用
住友弘二 （兵庫県立 大学大学院工学研究科）
16：45-17：20 半導体薄膜形成に対する計算科学的アプローチ
秋山亨 （三重大学 大学院工学研究科)
17：20-17：40 自由討論
17：40-17：45 挨拶
3 月 30 日
9：40-9：55 受付
9：55-10：00 挨拶
10：00-10：35 機能性材料の保護と高度化を両立させる二次元物質コーティング
小川修一 （日本大学生産工学部）
10：35-11：10 原子間力顕微鏡による溶融金属中合金結晶成長過程の原子スケール その場観察
一井 崇 （京都大学 大学院工学研究科）
11：10-11：25 休憩
11：25-11：55 減圧 CVD による Si 量子ドットの自己組織化形成
牧原克典 （名古屋大学大学院 工学研究科）
11：55-12：15 自由討論
12：15-12：20 閉会
定員
50人
参加費
無料
世話人
住友弘二（兵庫県大），中村芳明（大阪大学）
更新：2024/3/2